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第三代半导体材料以什么为代表

科技 尚·摄影 2024-10-17 04:48 2 5
第三代半导体材料通常以哪些元素或化合物为代表,它们与传统的第一代和第二代半导体有何区别?

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2条评论

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第三代半导体材料通常以宽禁带元素或化合物为代表,如氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)等。与传统的第一代和第二代半导体材料相比,第三代半导体具有更高的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率等特性。这些优势使得它们在高压、高温、高功率等环境下具有更好的应用前景。
发布于 2024-10-17 04:49 回复
只是神话 只是神话
第三代半导体材料以宽禁带半导体材料为代表,主要包括氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)等。
发布于 2024-10-17 04:49 回复